Low-Pressure CVD

释义 (Definition)

Low-Pressure CVD 是 低压化学气相沉积（低压CVD，常写作 LPCVD）的说法之一：在低于大气压的反应腔体中，引入气态前驱体，让其在加热的基片表面发生化学反应并沉积薄膜。常用于制备多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜，特点通常包括膜层致密、均匀性好、覆盖性较佳（但温度往往较高）。

发音 (Pronunciation, IPA)

/ˌloʊ ˈprɛʃər ˌsiː viː ˈdiː/

例句 (Examples)

Low-pressure CVD is used to deposit silicon nitride films.
低压化学气相沉积常用于沉积氮化硅薄膜。

Compared with PECVD, low-pressure CVD typically produces denser films but often requires higher process temperatures, which can limit compatibility with temperature-sensitive layers.
与PECVD相比，低压CVD通常能得到更致密的薄膜，但往往需要更高的工艺温度，这可能限制它与耐温性较差的层的兼容性。

词源 (Etymology)

该术语由 low-pressure（低压） + CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）构成。CVD是以气相反应在表面生成固体薄膜的沉积方法；加上“low-pressure”强调其关键工艺条件：在较低压强下运行，以影响反应动力学、传质与薄膜均匀性。工程语境中也常直接写作 LPCVD。

相关词 (Related Words)

• Chemical Vapor Deposition
• LPCVD
• PECVD
• ALD
• Thin Film
• Deposition
• Silicon Nitride
• Polysilicon
• Conformality
• Process Temperature

文学与典籍用例 (Literary / Notable Works)

• Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling（Plummer, Deal, Griffin）：讨论LPCVD/低压CVD在集成电路薄膜制程中的应用与机理。
• Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing（Peter Van Zant）：以工艺流程角度介绍包括LPCVD在内的薄膜沉积方法。
• Chemical Vapor Deposition: Principles and Applications（Hitchman & Jensen）：系统讲解CVD（含低压条件下的CVD）的基本原理与工艺要点。
• Handbook of Thin Film Deposition（相关编著）：薄膜沉积方法综述中常涉及低压CVD的特点与典型材料体系。